宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出全新集成電路(IC)系列的首個產(chǎn)品，為高功率密度應用諸如DC/DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動及D類放大器，提供更高性能及更小型化的解決方案。80 V、12.5 A功率級集成電路的尺寸為3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米。
北京2020年3月20日 /美通社/ -- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A 的功率級集成電路，專為48 V DC/DC轉(zhuǎn)換而設計，用于具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅(qū)動器。
EPC2152是一個單芯片驅(qū)動器并配以基于氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）、采用 EPC 專有的氮化鎵集成電路技術的半橋功率級。在單芯片上集成輸入邏輯界面、電平轉(zhuǎn)換電路、自舉充電電路、柵極驅(qū)動器的緩沖電路及配置為半橋器件的輸出氮化鎵場效應晶體管，從而實現(xiàn)芯片級 LGA 封裝及細小的外形尺寸（3.9 毫米 x 2.6 毫米 x 0.63 毫米）。
當48 V 轉(zhuǎn)到12 V 的降壓轉(zhuǎn)換器在1 MHz 的開關頻率下工作，EPC2152 ePower 功率級集成電路可實現(xiàn)高于96% 的峰值效率，相比采用多個分立器件的解決方案，這個集成電路在 PCB 的占板面積少33%。其峰值效率比分立式 MOSFET 或基于單片 MOSFET 集成電路的功率級優(yōu)勝很多。
EPC2152 是該系列的首個產(chǎn)品。該系列在未來會進一步推出采用芯片級封裝（CSP）及多芯片四方偏平模塊（QFM）的功率級 IC。在未來一年內(nèi)將推出可在高達3至5 MHz 頻率范圍工作、每級功率級的電流可高達15 A 至30 A 的產(chǎn)品。
該產(chǎn)品系列使得設計師可以容易發(fā)揮氮化鎵技術的性能優(yōu)勢。集成多個器件在單芯片上，設計師可以更容易設計、布局、組裝、節(jié)省占板面積及提高效率。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人 Alex Lidow 說：“分立式功率晶體管正在進入它的最后發(fā)展階段。硅基氮化鎵集成電路可以實現(xiàn)更高的性能、占板面積更小，省卻很多所需工程?！?nbsp;Alex 繼續(xù)說：“這個全新功率級集成電路系列是氮化鎵功率轉(zhuǎn)換領域的最新發(fā)展里程，從集成多個分立式器件，以至集成更復雜的解決方案都可以，從而實現(xiàn)硅基解決方案所不能實現(xiàn)的電路性能、使得功率系統(tǒng)工程師可以更容易設計出高效的功率系統(tǒng)?！?/p>
EPC90120是一塊半橋開發(fā)板，其最高器件電壓是80 V、最高輸出電流為12. 5 A，內(nèi)含 ePower? 功率級集成電路（EPC2152）。該板的尺寸為兩英寸乘兩英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可實現(xiàn)最優(yōu)開關性能。開發(fā)板包含所有重要元件，讓工程師容易對 EPC2152 進行評估。
ePower 功率級集成電路（EPC2152）及其開發(fā)板 EPC90120 可以立即從 Digikey 公司購買（http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en ）。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供貨商，為首家公司推出替代功率 MOSFET 器件的硅基增強型氮化鎵（eGaN ）場效應晶體管及集成電路之一，其目標應用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、激光雷達（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基于 eGaN IC 的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問宜普的網(wǎng)站，網(wǎng)址為 www.epc-co.com.cn。eGaN® 是 Efficient Power Conversion Corporation 宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標。
