北京2020年2月13日 /美通社/ -- 近日，英特爾非易失性存儲(chǔ)方案事業(yè)部宣布基于中國(guó)大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾® QLC 3D NAND固態(tài)盤（SSD）已達(dá)1000萬個(gè)。此項(xiàng)生產(chǎn)始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤技術(shù)的重要地位。
2019年4月，英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤。這款產(chǎn)品將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應(yīng)速度和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的強(qiáng)大存儲(chǔ)容量融為一體，采用M.2規(guī)格。
英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“很多公司都談?wù)撨^QLC技術(shù)，但只有英特爾真正意義上實(shí)現(xiàn)了QLC技術(shù)的大規(guī)模交付。我們一方面看到整個(gè)市場(chǎng)對(duì)英特爾低成本高收益的容量型QLC SSD (英特爾® SSD 660p)有著巨大需求，同時(shí)也看到大家對(duì)英特爾®傲騰?技術(shù)+QLC解決方案傲騰H10混合式固態(tài)盤在高性能方面的表現(xiàn)充滿期待。”
關(guān)于這一里程碑的一些簡(jiǎn)要情況：
- 英特爾QLC 3D NAND主要應(yīng)用于英特爾SSD 660p、英特爾® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲(chǔ)解決方案。
- 英特爾QLC驅(qū)動(dòng)器采用每單元4比特設(shè)計(jì)，并以64層和96層NAND配置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
- 英特爾在過去十年中一直致力于該技術(shù)的研發(fā)。2016年，英特爾工程師將已被充分驗(yàn)證的浮柵（FG）技術(shù)調(diào)整為垂直方向，并將其集成在環(huán)柵結(jié)構(gòu)中，進(jìn)而獲得每裸片存儲(chǔ)384 Gb數(shù)據(jù)的3D TLC技術(shù)。2018年，具備64層，每單元4比特，可儲(chǔ)存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年，英特爾升級(jí)到96層，進(jìn)一步提升了整體存儲(chǔ)密度。
- QLC目前是英特爾整體存儲(chǔ)產(chǎn)品組合的一部分，這一組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心相關(guān)產(chǎn)品。
