上海2012年10月22日電 /美通社/ -- 今年IC China（一年一度在上海舉辦的業(yè)內(nèi)知名半導(dǎo)體展會(huì)和論壇）展會(huì)期間，先進(jìn)的設(shè)備制造商 -- 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”），將于本周三在上海世博展覽館，就其設(shè)計(jì)創(chuàng)新、技術(shù)領(lǐng)先的新一代刻蝕設(shè)備產(chǎn)品舉辦新聞發(fā)布會(huì)。屆時(shí)，中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯博士將介紹公司產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的最新進(jìn)展；中微公司資深技術(shù)專(zhuān)家將在會(huì)上介紹公司研發(fā)部門(mén)開(kāi)發(fā)成功的兩款新一代刻蝕設(shè)備。
新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE（“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機(jī)”），可應(yīng)用于先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕（在單反應(yīng)器中實(shí)現(xiàn)多步操作）。Primo SSC AD-RIE擁有獨(dú)特的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠在工藝控制方面實(shí)現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時(shí)達(dá)到更高的產(chǎn)出效率。
另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV300E®，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E®的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E®獲得業(yè)界認(rèn)可，已被亞洲眾多客戶用于先進(jìn)系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)。中微第一臺(tái)Primo TSV300E®設(shè)備已在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓封裝廠運(yùn)轉(zhuǎn)。
這兩種設(shè)備強(qiáng)化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。
中微公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯認(rèn)為，IC China是一個(gè)極有價(jià)值的平臺(tái)，非常適合新技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布。他表示：“作為中國(guó)起步較早的半導(dǎo)體展會(huì)，IC China對(duì)國(guó)內(nèi)外的技術(shù)專(zhuān)家和企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)人具有極大的吸引力，同時(shí)為半導(dǎo)體制造前沿技術(shù)的深入討論提供了平臺(tái)。我們很高興能在這次展會(huì)上發(fā)布中微新一代刻蝕設(shè)備。這些設(shè)備都具有領(lǐng)先的獨(dú)特創(chuàng)新，能夠解決隨著技術(shù)進(jìn)步和材料深度整合出現(xiàn)的新的技術(shù)障礙。這些設(shè)備也能為芯片生產(chǎn)商帶來(lái)顯著的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)造更多價(jià)值?！?/p>
Primo SSC AD-RIE具有卓越的工藝控制靈活性，帶來(lái)更高產(chǎn)能及更佳芯片加工結(jié)果
Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介質(zhì)刻蝕設(shè)備。它在中微和國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片制造商的合作中開(kāi)發(fā)而成，能夠?qū)崿F(xiàn)超高產(chǎn)能、較好的芯片加工質(zhì)量和芯片刻蝕技術(shù)可延展性等嚴(yán)苛的技術(shù)目標(biāo)。該設(shè)備的晶圓傳遞平臺(tái)可配置多達(dá)6個(gè)單芯片加工反應(yīng)器，每個(gè)反應(yīng)器可以獨(dú)立地優(yōu)化加工條件，以實(shí)現(xiàn)不同工藝控制的靈活性。每個(gè)反應(yīng)器的分子泵有極高的抽速，對(duì)包括壓力、流量、射頻功率以及溫度在內(nèi)的重要參數(shù)有很好的調(diào)節(jié)作用，而并行工藝精確控制能實(shí)現(xiàn)反應(yīng)器之間的良好匹配度。更佳的反應(yīng)器之間匹配能夠提高刻蝕的重復(fù)性，從而提高生產(chǎn)效率。
采用Primo SSC AD-RIE，客戶可以得到更先進(jìn)的工藝、卓越的芯片加工性能、技術(shù)可延展性和成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
Primo SSC AD-RIE特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
Primo TSV300E®：用于硅深孔刻蝕的先進(jìn)刻蝕設(shè)備
Primo TSV300E®不僅擁有前一代設(shè)備TSV200E®的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)，還拓展了工藝范圍。具有雙反應(yīng)臺(tái)的反應(yīng)器既可以單獨(dú)加工單個(gè)晶圓片，又可以同時(shí)加工兩個(gè)晶圓片。該刻蝕設(shè)備可安裝多達(dá)6個(gè)加工反應(yīng)臺(tái)（即3個(gè)雙反應(yīng)器），這使得芯片產(chǎn)出能力幾乎翻了一倍，并降低了加工成本，對(duì)于注重節(jié)省成本的客戶來(lái)說(shuō)無(wú)疑是不二之選。
區(qū)別于Primo TSV200E®，Primo TSV300E® 配備了高效能冷卻系統(tǒng)的5kW高功率電源，可以提高工藝的調(diào)整能力，同時(shí)它還具有獨(dú)特的氣體快速切換裝置，可以使通孔刻蝕的側(cè)壁更加光滑。產(chǎn)品應(yīng)用了電感耦合等離子體源，反應(yīng)器可以用于深硅刻蝕和非博世工藝。
Primo TSV300E®還有一項(xiàng)重要的技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)，它可以和中微的Primo D-RIE®刻蝕設(shè)備靈活結(jié)合，混合配置出具備在同一平臺(tái)進(jìn)行等離子體刻蝕和TSV硅通孔刻蝕能力的設(shè)備。這種靈活的安排帶來(lái)了技術(shù)最優(yōu)化和成本的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
Primo TSV300E®特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
IC China半導(dǎo)體展會(huì)和論壇將于2012年10月23日至25日在上海世博展覽館1號(hào)館舉辦，中微公司除將召開(kāi)技術(shù)創(chuàng)新和領(lǐng)導(dǎo)人會(huì)議外，IC China展會(huì)期間還在B04展位設(shè)有展臺(tái)，歡迎蒞臨參觀。
關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
中微公司致力于為全球芯片生產(chǎn)廠商和相關(guān)高科技領(lǐng)域的世界領(lǐng)先公司提供一系列高端的芯片生產(chǎn)設(shè)備。公司擁有業(yè)內(nèi)經(jīng)驗(yàn)最豐富的管理和技術(shù)專(zhuān)家，已形成強(qiáng)有力的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力，持續(xù)拓展產(chǎn)品線以滿足各種新興的技術(shù)需求?？蛻粽沁\(yùn)用了中微先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)，制造了電子產(chǎn)品中最為關(guān)鍵的芯片器件。中微的高端設(shè)備在65、45、40、28、26納米及以下的芯片生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了技術(shù)創(chuàng)新和生產(chǎn)力提高的最優(yōu)化。中微公司以亞洲為基地，總部位于中國(guó)，其研發(fā)、制造、銷(xiāo)售和客戶服務(wù)機(jī)構(gòu)遍布日本、南韓、新加坡、中國(guó)臺(tái)灣等地。
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Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo TSV200E和 Primo TSV300E為中微公司注冊(cè)商標(biāo)。
