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LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術的SSD

2012-06-05 15:00 4210
在2012臺北國際電腦展上,LSI公司宣布演示其閃存存儲處理器,該產品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應用中用的最先進閃存技術。這些前沿的技術將于本周的臺北國際電腦展上進行互動演示。

LSI SandForce SF-2000 閃存存儲處理器可加速業(yè)界最先進閃存介質的性能,并使可靠性實現(xiàn)較大化

北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- 在2012臺北國際電腦展上,LSI公司(紐約證交所股票代碼:LSI)宣布演示其備受贊譽的SandForce® SF-2000閃存存儲處理器(FSP),該產品采用Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應用中所使用的最先進閃存技術。這些前沿的技術將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。

LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤(SSD)提供同類較佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產品證明,LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產品,還可以加速閃存存儲在云計算、企業(yè)和客戶端應用中的廣泛普及。到2015年SSD產品在客戶端和企業(yè)市場領域的出貨量將超過1億,與2011年相比出貨量增長56%。(1)

SSD目標分析師Jim Handy 指出:“SSD用戶都希望從領先的閃存技術中獲得巨大的成本優(yōu)勢,但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本較低的閃存芯片的復雜性。通過支持較小的NAND工藝,LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業(yè)和客戶端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲應用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器?!?/p>

隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小,引入先進的錯誤校驗功能已成為當務之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質比,這會降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內可校正多達55位錯誤,也成為業(yè)界首款可同時支持企業(yè)和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產品包括一個獨特的糾錯引擎,盡管當今和未來先進NAND閃存技術對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高,但是該引擎憑借其獨特的設計完全可以應對這些挑戰(zhàn)。

LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出:“與6家NAND閃存技術領先制造商開展合作,使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計算和財富1000企業(yè)中關鍵任務型計算環(huán)境所需的卓越可靠性,使用壽命和功效,并且隨著用戶越來越認可這些屬性,我們期望繼續(xù)看到SSD技術被廣泛采用?!?/p>

為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP 采用了DuraClass® 高級NAND閃存管理技術。

DuraClass管理特性包括:

  • DuraWrite?優(yōu)化閃存的程序周期數(shù)量,有效地提高閃存耐用性。
  • RAISE?(獨立芯片冗余陣列):驅動器可靠性得到大幅提高,可實現(xiàn)單驅動解決方案、RAID式的保護及恢復功能。
  • 高級耗損平衡和監(jiān)視:較佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。
  • 反復循環(huán)器智能地執(zhí)行“垃圾收集”操作,清除無效數(shù)據(jù),使閃存耐用性影響最小化。

LSI技術演示將在臺北市君悅酒店1037和1038號LSI套房中進行。如需了解關于LSI SandForce FSP的更多信息,敬請訪問:www.lsi.com/sandforce。

About LSI

LSI公司 (NYSE: LSI) 設計的半導體組件和軟件可用于提高數(shù)據(jù)中心、移動網(wǎng)絡和客戶端計算的存儲性能和網(wǎng)絡速度。我們的技術是高度智慧的結晶,是加強應用性能的關鍵所在。同時,我們積極與合作伙伴開展協(xié)作,共同開發(fā)解決方案以更好地將我們的技術應用其中。如需了解更多詳情,請訪問:www.lsi.com

(1) IDC,“IDC WW SSD 2011-2015年預測更新”, 2012年3月。

LSI與LSI徽標設計以及SandForce、DuraClass、DuraWrite以及RAISE均是LSI公司的商標或注冊商標。

所有其它品牌或產品名稱可能是其各自所有者的商標或注冊商標。

消息來源:LSI公司
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