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Quobly宣布容錯(cuò)量子計(jì)算關(guān)鍵里程碑

Quobly
2024-12-11 03:48 2130

法國(guó)格勒諾布爾和舊金山2024年12月11日 /美通社/ -- 法國(guó)領(lǐng)先的量子計(jì)算初創(chuàng)公司Quobly報(bào)告稱,FD-SOI技術(shù)可以作為商業(yè)量子計(jì)算的可擴(kuò)展平臺(tái),充分利用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造工廠和CEA-Leti的研發(fā)試點(diǎn)線。

Quobly device based on FD-SOI undergoing testing & measurements
Quobly device based on FD-SOI undergoing testing & measurements

半導(dǎo)體行業(yè)在推動(dòng)經(jīng)典計(jì)算機(jī)以更低成本實(shí)現(xiàn)規(guī)?;矫姘l(fā)揮了關(guān)鍵作用;它對(duì)量子計(jì)算機(jī)也具有同樣的變革潛力,使其能夠在商業(yè)上實(shí)現(xiàn)規(guī)?;⒕邆涑杀靖?jìng)爭(zhēng)力。 硅自旋量子比特非常適合實(shí)現(xiàn)容錯(cuò)的大規(guī)模量子計(jì)算,具有微秒級(jí)的時(shí)鐘速度,超過99%的單比特和雙比特門操作保真度,以及無(wú)與倫比的小單元格尺寸(在100nm²的百分之一范圍內(nèi))。

為了利用數(shù)十年的半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施投資,Quobly采用了無(wú)晶圓廠模式。 其主要使用FD-SOI(一種商用CMOS技術(shù),由STMicroelectronics、GlobalFoundries和三星晶圓廠等全球領(lǐng)先企業(yè)制造)作為量子計(jì)算的平臺(tái)。

2024年12月9,Quobly在IEDM上報(bào)告了工作成果,其解決了擴(kuò)展量子系統(tǒng)所面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。 Quobly與CEA-Leti、CEA-IRIG和CNRS合作,展示了利用商用FD-SOI技術(shù)構(gòu)建量子計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵模塊:

  • 低溫操作及其數(shù)字和模擬性能的表征,符合電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
  • 使用CEA-Leti的研發(fā)試點(diǎn)線進(jìn)行基于空穴和電子自旋量子比特的單量子比特操作。 該雙極平臺(tái)優(yōu)化了系統(tǒng)性能,利用電子的長(zhǎng)相干時(shí)間進(jìn)行存儲(chǔ),以及空穴的強(qiáng)自旋軌道相互作用以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理
  • 通過商用GF 22FDX中的電荷控制,進(jìn)一步定義雙量子比特門的標(biāo)準(zhǔn)單元

主要成就包括:

  • 低溫控制電子設(shè)備:電壓增益高達(dá)75dB,噪聲水平為10-11V ²?μm ²/Hz,閾值電壓變化率為1.29 mV?μm
  • 雙極自旋量子比特:使用FD-SOI技術(shù)共同集成空穴和電子量子比特,實(shí)現(xiàn)1μs的空穴操作速度和40μs的電子相干時(shí)間(Hahn回波)。
  • 雙量子比特門標(biāo)準(zhǔn)單元:使用商用FD-SOI演示雙量子點(diǎn)操作。邁向商用量子系統(tǒng)的一步

這項(xiàng)工作將FD-SOI定義為可擴(kuò)展量子處理器的關(guān)鍵,并確立了Quobly在高成本效益的容錯(cuò)量子計(jì)算領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 通過在同一平臺(tái)上共同集成量子和經(jīng)典組件,Quobly正在打造可擴(kuò)展的QSoC架構(gòu)。

關(guān)于Quobly
Quobly于2022年在格勒諾布爾成立,是利用半導(dǎo)體量子比特進(jìn)行容錯(cuò)量子計(jì)算的先驅(qū)。 Quobly將尖端研究與工業(yè)生產(chǎn)相結(jié)合,目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)具有數(shù)百萬(wàn)量子比特的可擴(kuò)展系統(tǒng)。 該公司在2023年融資1900萬(wàn)歐元,創(chuàng)下了歐洲量子領(lǐng)域的紀(jì)錄。 請(qǐng)?jiān)L問www.quobly.io

聯(lián)系人:andrea.busch@quobly.io

 

 

消息來(lái)源:Quobly
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關(guān)鍵詞: 電腦/電子 半導(dǎo)體
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