北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 （電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)）于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行，暌違三年有余，作為無線通信行業(yè)工程師的專業(yè)交流平臺(tái)，大會(huì)再次召集了射頻、微波以及無線設(shè)計(jì)行業(yè)領(lǐng)域的精英企業(yè)，針對當(dāng)下的通信、消費(fèi)和航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用展開討論和技術(shù)分享。三安集成作為化合物射頻前端器件的整合服務(wù)商，應(yīng)邀參與大會(huì)，并在技術(shù)報(bào)告會(huì)中做出分享。
三安集成應(yīng)邀參與EDICON 2024，并在技術(shù)報(bào)告會(huì)中做出分享。
隨著5G演進(jìn)到Rel. 18及更高，推動(dòng)著射頻前端迭代到最新的Phase 8架構(gòu)，集成度進(jìn)一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件制造工藝正是針對市場主流的模組化趨勢，能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅艿慕鉀Q方案。
射頻前端PA器件功放管主要采用砷化鎵HBT工藝，追求在高頻工況下，具備高線性度、穩(wěn)定性和放大效率。三安集成通過在外延材料及工藝端的改善，發(fā)展的HP1/HP2工藝，對比起前代的HG6/HG7，在IMD3和PAE均有明顯的改善，能夠滿足在復(fù)雜工況下的信號輸出穩(wěn)定需求。同時(shí)，配合新一代的銅柱工藝，實(shí)現(xiàn)晶圓的輕薄化和良好散熱特性，減小模組尺寸，縮減成本、提升整體系統(tǒng)性能。
三安集成砷化鎵研發(fā)部部長郭佳衢在報(bào)告中提道，三安集成的砷化鎵HBT工藝已經(jīng)覆蓋了2/3/4G，Sub-6GHz，以及Wi-Fi 7等無線通信應(yīng)用，并向著更高頻率的應(yīng)用投入研發(fā)資源。
砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系，目前已進(jìn)展到0.1um的工藝節(jié)點(diǎn)，可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)良好的信號強(qiáng)度和低噪聲系數(shù)。成熟的P25工藝型譜則廣泛應(yīng)用于接收模組和中高功率的手機(jī)和基站，新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3系數(shù)有明顯改善，顯現(xiàn)出出色的產(chǎn)品競爭力。
"三安集成具備豐富的大規(guī)模制造經(jīng)驗(yàn)，秉持'客戶至上'的精神，為客戶和市場提供更高質(zhì)量的制造服務(wù)，幫助客戶實(shí)現(xiàn)商業(yè)成功，共同促進(jìn)無線通信行業(yè)的發(fā)展繁榮。"郭佳衢部長補(bǔ)充道。
關(guān)于三安集成
三安集成成立于2014年，是專注于化合物射頻前端芯片制造的整合解決方案提供商，提供砷化鎵射頻前端代工服務(wù)，濾波器產(chǎn)品，以及先進(jìn)應(yīng)用封裝代工服務(wù)。主要服務(wù)智能手機(jī)、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應(yīng)用領(lǐng)域。
