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加利福尼亞州圣何塞2021年5月25日 /美通社/ -- Rambus Inc.(納斯達克股票代碼:RMBS)作為業(yè)界領先的芯片和IP核供應商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全。今天宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng),該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器,在三星先進的14 / 11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識,Rambus解決方案的運行速度高達3.2 Gbps,可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求,此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI / ML訓練和高性能計算(HPC)應用。
三星電子設計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說:“我們與Rambus的合作將業(yè)界領先的內(nèi)存接口設計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術結合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設計人員可以使用HBM2E內(nèi)存實現(xiàn)平臺設計,利用三星先進的14 / 11nm工藝,以達到無與倫比的性能水平。”
完全集成的,可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以3.2 Gbps的速度運行,為設計人員在平臺實現(xiàn)上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作,通過利用三星的14/11nm工藝和先進的封裝技術對HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP核進行硅驗證。
Rambus IP部門總經(jīng)理Matt Jones表示:“由于硅片的運行速度高達3.2 Gbps,客戶可以為自己的設計留出足夠的余地來實現(xiàn)HBM2E存儲器子系統(tǒng)??蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜嬷С郑渲邪?.5D封裝和中介層參考設計提供,有助于確??蛻粢淮蔚轿怀晒崿F(xiàn)?!?/p>
Rambus HBM2E內(nèi)存接口(PHY和控制器)的優(yōu)點:
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