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新思科技與中芯國際合作推出 DesignWareUSB 2.0 nanoPHY

-- 用于中芯65納米 LL 工藝技術,獲得 USB 標志認證

-- 通過芯片驗證的 DesignWare PHY IP 降低了風險,易于集成到系統(tǒng)芯片中

美國加利福尼亞州山景城和中國上海2010年5月13日電 /美通社亞洲/ -- 全球半導體設計制造軟件和知識產(chǎn)權領先企業(yè)新思科技有限公司(納斯達克交易代碼:SNPS)和全球領先的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際,紐約證券交易所交易代碼:SMI,香港聯(lián)交所交易代碼:0981.HK)今天宣布開始提供用于中芯國際65納米 (nanometer) 低漏電 (Low-Leakage)工藝技術的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得 USB 標志認證的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權 (IP)。作為一家提供包括控制器、PHY 和驗證 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解決方案的領先供應商,新思科技繼續(xù)致力于通過提供高品質(zhì)IP助力設計人員降低集成風險,這些 IP 具備了驗證過的互操作性,并與標準規(guī)范設計兼容。

(Logo: http://qyysmy.cn/sa/200611101605.jpg )

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP 專為各種高市場容量移動和消費電子應用而設計的,這些應用的關鍵要求包括要實現(xiàn)面積最小、低動態(tài)和泄漏功耗等特性。此外,DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP 內(nèi)建了調(diào)整電路,可支持快速的、芯片加工后的調(diào)整,以應對意外的芯片/電路板寄生或工藝變化,而無需用戶對現(xiàn)有設計進行修改。這一特性使得設計人員能夠提高良品率,并較大限度地降低昂貴的芯片改版成本。

“新思科技經(jīng)過硅驗證的 DesignWare USB2.0 nanoPHY IP 與中芯國際的低漏電65nm 工藝技術相互融合,使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實現(xiàn)關鍵上市時間目標和快速投入量產(chǎn)的工藝中,”中芯國際高級副總裁兼首席業(yè)務官季克非表示,”近來,客戶充分利用中芯國際65納米 LL 工藝和新思科技 USB2.0 nanoPHY IP 在硅晶片領域大獲成功,這讓我們信心倍增。我們將加強與新思科技的戰(zhàn)略和協(xié)同關系,利用我們業(yè)內(nèi)領先的集成、功率效率和性價比,為我們的客戶提供明顯領先的優(yōu)勢。我們期待著與新思科技一如既往地開展持續(xù)合作,并向更先進的工藝制程邁進?!?/p>

“隨著新思科技面向 SMIC 65 nm LL 工藝技術的高品質(zhì) DesignWare USB2.0 nanoPHY 的上市,我們將繼續(xù)向設計人員提供他們滿足當今制造工藝要求所需的知識產(chǎn)權,”新思科技解決方案集團營銷副總裁 John Koeter 表示,“我們通過與中芯國際合作,在其65 nm LL 工藝中對我們的 USB 2.0 nanoPHY IP 進行硅驗證。這種做法為我們的客戶提供了成熟的、經(jīng)過認證的 IP 解決方案,使他們能夠在集成 DesignWare IP 的過程中降低所面臨的風險,并加快產(chǎn)品的上市時間。”

關于 DesignWare IP

新思科技有限公司是用于系統(tǒng)級芯片 (SoC) 設計的高質(zhì)量、經(jīng)生產(chǎn)驗證的接口和模擬IP解決方案的領先提供商。Synopsys 廣泛的產(chǎn)品系列提供了完整的連接 IP 解決方案,包括控制器、PHY 和驗證 IP,適用于眾多已廣泛應用的協(xié)議,如 USB、PCI Express、DDR、SATAHDMI、MIPI 和以太網(wǎng)等,3G DigRF, CSI-2 and D-PHY。模塊 IP 系列產(chǎn)品包括模數(shù)轉換器、數(shù)模轉換器、音頻編解碼器、視頻模擬前端、觸摸屏控制器和其它許多產(chǎn)品。此外,Synopsys 還提供用于構建虛擬平臺的 SystemC 事務級模型,可用于軟件的快速開發(fā)以及芯片生產(chǎn)前的開發(fā)工作。在強有力的 IP 開發(fā)方法支持下,以及憑借在質(zhì)量和全面技術支持方面的大力投入,新思科技有限公司讓設計人員能夠加快產(chǎn)品上市周期和減少集成風險。如需有關 DesignWare IP 的更多信息,敬請訪問:http://www.synopsys.com/designware 。同時也可在 Twitter 上了解我們的最新消息:http://twitter.com/designware_ip 。

關于新思科技有限公司新思科技有限公司 (Synopsys, Nasdaq:SNPS) 是全球電子設計自動化 (EDA) 行業(yè)的領導者,為全球電子市場提供用于半導體設計和制造的軟件、知識產(chǎn)權 (IP) 和服務。Synopsys 的全面解決方案將其在實施、驗證、IP、制造和現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 等方面的產(chǎn)品組合集于一體,幫助設計師和制造商解決了當前面對的各種關鍵挑戰(zhàn),如功率消耗、良率管理、軟件到芯片 (software-to-silicon) 驗證以及實現(xiàn)時間。這些技術領先的解決方案幫助Synopsys的客戶建立了一個競爭優(yōu)勢,既可以將較好的產(chǎn)品快速地帶入市場,同時降低成本和進度風險。Synopsys 的總部位于加利福尼亞州的 Mountain View,并且在北美、歐洲、日本、亞洲和印度擁有超過65家辦事處。如需獲得更多信息,請登陸 http://www.synopsys.com 。Synopsys 和 DesignWare 均為 Synopsys 公司的注冊商標。本新聞稿所涉及的所有其它商標或注冊商標的知識產(chǎn)權均歸屬其相應所有者。

關于中芯國際

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:981),是世界領先的集成電路芯片代工企業(yè)之一,也是中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術先進的集成電路芯片代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到45納米芯片代工與技術服務。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm 芯片廠和三座200mm 芯片廠。在北京建有兩座300mm 芯片廠,在天津建有一座200mm 芯片廠,在深圳有一座200mm 芯片廠在興建中,在成都擁有一座封裝測試廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本提供客戶服務和設立營銷辦事處,同時在香港設立了代表處。此外,中芯代成都成芯半導體制造有限公司經(jīng)營管理一座200mm 芯片廠,也代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm 芯片廠。詳細信息請參考中芯國際網(wǎng)站 http://www.smics.com

安全港聲明

(根據(jù)1995私人有價證券訴訟改革法案)

本次新聞發(fā)布可能載有(除歷史資料外)依據(jù)1995美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述乃根據(jù)中芯對未來事件的現(xiàn)行假設、期望及預測而作出。中芯使用“相信”、“預期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預測”或類似的用語來標識前瞻性陳述,盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導致中芯實際表現(xiàn)、財務狀況和經(jīng)營業(yè)績與這些前瞻性聲明所表明的意見產(chǎn)生重大差異的已知和未知的重大風險、不確定因素和其他因素,其中包括當前全球金融危機的相關風險、未決訴訟的頒令或判決,和終端市場的財政穩(wěn)定。

投資者應考慮中芯呈交予美國證券交易委員會(“證交會))的文件資料 ,包括其于二零零九年六月二十二日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報,特別是在“風險因素”和“管理層對財務狀況和經(jīng)營業(yè)績的討論與分析”部分,并中芯不時向證交會(包括以6-K 表格形式),或聯(lián)交所呈交的其他文件。其它未知或不可預測的因素也可能對中芯的未來結果,業(yè)績或成就產(chǎn)生重大不利影響。鑒于這些風險,不確定性,假設及因素,本次新聞發(fā)布中討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明,因其只于聲明當日有效,如果沒有標明聲明的日期,就截至本新聞發(fā)布之日。除法律有所規(guī)定以外,中芯概不負責因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況,亦不擬,更新任何前瞻性陳述。

消息來源:中芯國際集成電路制造有限公司
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